Mask Aligner ( 마스크얼라이너, 미세패턴정렬노광기 )

 

  1. 본 장비는 Photo Lithography 공정을 수행하는 시스템으로서 wafer 위의

       다양한 물질에 Circuit pattern을 형성시키는 것을 목적으로 한다.

   2. 미세회로를 구현하기 위해 균일도가 높은 자외선 평행광을 사용한다.

   3. 공정이 다층으로 이루어지므로 정밀한 Align과 Leveling이 가능한 4축 ( X,Y,T,Z) Stage가 필요하다.

   4. 다층 구현 시 샘플 패턴과 마스크 패턴을 정확히 정렬시키위해 해상도의 Microscope와

      CCD camera가 적용된다.

    

    ■ Mask Aligner system

 

● 사 양

Item
  Specification
Wavelength
250 ~ 350nm, 350~450nm
 illumination
10~50mW/cm2 ( @ 365nm )
UV Lamp
350 ~ 5KW
Beam size
~300x300 mm
Beam Angle
<±2°
Uniformity
<±3%
Sample size
Piece ~ 300 x 300
Sample chuck
Vacuum Hold chuck
Mask size
4 ~ 13 inch
Mask Holder
Vacuum Hold
Exposure mode
Soft, Hard contact, Proximity
Expose time
0.1sec ~ 999.9m
Align stage
X,Y,Z and θ axis stage
Table
Anti vibration table
Control
PLC and Touch Panel

 

 

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